斥資50億歐元！英飛凌將建造全球最大8寸碳化硅功率晶圓廠【附碳化硅器件產業分析】

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8月4日，功率半導體領先企業英飛凌在披露第三季度財報后，宣布將馬來西亞Kulim工廠擴建作為重點投資項目之一。據報道，該公司計劃在當地建設全球最大的8寸碳化硅功率廠。英飛凌表示，Kulim工廠的擴建計劃已獲得價值約50億歐元（約合391億元人民幣）的合同。

碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂，是一種無機物，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅(SiC)主要應用于磨具磨料、冶金原料、半導體器件等領域，其中，在半導體器件領域，碳化硅是第三代半導體材料的代表之一。

行業全球發展現狀

第三代半導體材料引發全球矚目，碳化硅成為半導體技術研究前沿和產業競爭焦點，美、日、歐等國都在積極進行戰略部署。當前，國際上第三代半導體材料、器件已實現了從研發到規模性量產的成功跨越，并進入產業化快速發展階段，在新能源汽車、高速軌道交通、5G通信、光伏并網、消費類電子等多個重點領域實現了應用突破。2020年以來，發達國家紛紛將半導體技術和產業上升到國家安全戰略層面，考慮以國家級力量進行技術研發、產業鏈發展、原材料、生產制造等多維度、全方位的部署。

隨著技術的成熟以及下游需求的快速增長，近年來全球各企業加速布局碳化硅行業，相繼推出多款產品。從晶體管(SiC MOSFET)來看，2021年國際上共有10余家公司推出超過200款SiC MOSFET系列產品，擊穿電壓基本集中在650V和1200V。

從射頻器件來看，據CASA數據顯示，目前在售GaN射頻器件和功率放大器超過500款。GaN射頻器件最高工作頻率18GHz(Wolfspeed)，輸出功率最高達到1862W(Qorvo，1.0-1.1GHz)。其中，SiC基GaN器件是射頻市場主流產品和技術解決方案。

根據第三代半導體產業技術創新戰略聯盟數據，至2020年底，全球碳化硅功率器件的市場規模為7.03億美元，GaN射頻器件市場規模為8.3億美元。同時，GaN射頻器件主要基于碳化硅(SiC)、硅(Si)等異質襯底外延材料制備，相較于硅基氮化鎵，碳化硅基氮化鎵外延優勢明顯，根據Yole報告，目前90%左右的GaN射頻器件采用碳化硅襯底制備，2021年全球碳化硅器件市場規模已經超過20億美元。

市場規模預測

2020年全球第三代半導體產業在美國的逆全球化舉措下發生了巨大的波動，搶占半導體產業競爭格局的制高點成為全球各國的共同訴求和投入方向，由此可以預見未來幾年，全球半導體領域的資源、人才競爭將進入白熱化階段。5G、入工智能、新能源等發展提速，對碳化硅需求猛增，產業的關注度日益增高，國產化替代成為發展趨勢。預計未來幾年中國碳化硅產業將持續以兩位數增長幅度增長，2027年器件市場規模將突破700億元。

摩根士丹利認為，碳化硅(SiC)器件是下一代電力電子技術的關鍵組成部分，具有高溫、高頻、高壓、高功率密度等優勢。該公司預計，碳化硅市場規模將在未來幾年中快速增長，并成為電動汽車、太陽能逆變器和工業電源等應用領域的主要驅動力。

美林證券指出碳化硅(SiC)器件具有低能耗、高效率、高溫工作和高速開關等特點，將在電動汽車、太陽能逆變器和工業電力等領域取得廣泛應用。該公司預計，碳化硅市場規模將在未來幾年中以每年超過30%的速度增長。

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