圖源:攝圖網(wǎng)
6月29日,美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技公布了第三財(cái)季財(cái)報(bào),總營(yíng)收為37.52億美元,同比下滑56.6%,略高于市場(chǎng)預(yù)期的37.02億美元。該公司的DRAM和NAND業(yè)務(wù)構(gòu)成了其98%的收入來源,而本季度這兩項(xiàng)業(yè)務(wù)再次出現(xiàn)了50%以上的下滑。這主要是由于存儲(chǔ)行業(yè)整體需求疲軟,導(dǎo)致DRAM和NAND產(chǎn)品的價(jià)格大幅下跌,從而影響了公司各個(gè)業(yè)務(wù)的收入。然而,美光科技的業(yè)績(jī)卻超出了華爾街分析師的預(yù)期,這主要得益于兩個(gè)因素:一方面,生成式人工智能的浪潮推動(dòng)了對(duì)存儲(chǔ)芯片(主要包括內(nèi)存芯片和閃存芯片)的需求增長(zhǎng);另一方面,在傳統(tǒng)個(gè)人電腦和智能手機(jī)市場(chǎng)上,存儲(chǔ)芯片供需矛盾的問題有所緩解。
(資料圖)
全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)層次
目前,全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)高度集中,存儲(chǔ)芯片是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng),且近年來壟斷程度逐步加劇。代表企業(yè)包括韓國(guó)的三星、SK海力士;美國(guó)的美光、西部數(shù)據(jù);日本的鎧俠等,我國(guó)企業(yè)中長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)分別在NAND Flash、DRAM市場(chǎng)中不斷發(fā)力,已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,逐步縮小與國(guó)外原廠的差距;在NOR Flash全球市場(chǎng)中,我國(guó)企業(yè)兆易創(chuàng)新占據(jù)前三,兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(CXMT),意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力,扮演中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角色。
全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)企業(yè)布局及競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)價(jià)
從全球存儲(chǔ)芯片企業(yè)業(yè)務(wù)布局來看,三星、SK海力士、美光在主要存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品NAND Flash和DRAM產(chǎn)品中占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位,鎧俠、西部數(shù)據(jù)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要布局在NAND Flash領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新產(chǎn)品包含NOR Flash、小容量NAND Flash、以及少量DRAM(由合肥長(zhǎng)鑫生產(chǎn))。國(guó)外企業(yè)大多采取IDM模式(企業(yè)業(yè)務(wù)覆蓋存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)、制造、封裝和測(cè)試的所有環(huán)節(jié)),我國(guó)企業(yè)中兆易創(chuàng)新采取Fabless模式(無晶圓生產(chǎn)線集成電路設(shè)計(jì)模式)。
全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài)總結(jié)
前瞻產(chǎn)業(yè)研究院從五力競(jìng)爭(zhēng)模型角度進(jìn)行分析,存儲(chǔ)芯片行業(yè)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者數(shù)量較少,行業(yè)集中度較高,企業(yè)紛紛加大存儲(chǔ)芯片新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度,行業(yè)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者競(jìng)爭(zhēng)較為激烈;從上下游來看,由于存儲(chǔ)芯片行業(yè)被國(guó)際巨頭壟斷,存儲(chǔ)芯片對(duì)上游供應(yīng)商和下游購(gòu)買者的議價(jià)能力較高;從替代品威脅來看,由于行業(yè)產(chǎn)品特性和技術(shù)特征,存儲(chǔ)芯片行業(yè)替代品威脅較小;從潛在進(jìn)入者威脅來看,目前,對(duì)于潛在進(jìn)入者而言,存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)對(duì)手過于強(qiáng)大,受資金和技術(shù)限制,行業(yè)進(jìn)入壁壘較高,因此存儲(chǔ)芯片行業(yè)潛在進(jìn)入者的威脅不大。
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