新型透明、靈活超薄存儲器件：彎曲時也能保持80%以上的記憶功能

二維(2D)納米材料的柔性存儲設備是下一代可穿戴市場的關鍵元素，它在數據存儲、處理和通信中發揮著至關重要的作用。

用幾納米(nm)的二維納米材料制成的超薄存儲器件，可以顯著提高存儲密度，從而開發出采用二維納米材料實現的柔性可變電阻存儲器。然而，由于納米材料的弱載流子俘獲特性，使用傳統二維納米材料的存儲器具有一定的局限性。

韓國科學技術研究院（Korea Institute of Science and Technology）先進復合材料研究所團隊近日宣布開發了一種基于異質低維超薄納米結構的透明、靈活的存儲器件。為此，形成了單層零維（0D）量子點，并將其夾在兩個絕緣的二維六方氮化硼（h-BN）超薄納米材料結構之間。

研究小組通過將具有優異量子限制特性的0D量子點引入有源層，控制二維納米材料中的載流子，制造出了一種可以成為下一代存儲器候選者的設備。

在此基礎上，0D量子點被塑造成垂直堆疊的復合結構，夾在2D六邊形h-BN納米材料之間，從而產生透明且靈活的器件。因此，開發的設備即使在彎曲時也能保持80%以上的透明度和記憶功能。

研究人員表示，團隊通過利用絕緣六方h-BN上的量子點堆疊控制技術代替導電石墨烯，奠定了超薄納米復合結構研究的基礎，并揭示了下一代存儲器件的制造和驅動原理。研究團隊計劃在未來將異質低維納米材料組成的堆棧控制技術系統化，并擴大其應用范圍。

題為Memory effect of vertically stacked hBN/QDs/hBN structures based on quantum-dot monolayers sandwiched between hexagonal boron nitride layer的相關研究論文發表在《復合材料B部分：工程》（Composites Part B: Engineering）上。

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論文原文：

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1359836821006818?via%3Dihub

標簽： 存儲器件 透明