全球首款！美光宣布推出24GB容量第二代HBM3內存【附存儲芯片行業競爭格局分析】

圖片來源：攝圖網

近日，美光已宣布已出樣業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內存，基于1β DRAM制程節點高帶寬內存(HBM)解決方案，帶寬超過1.2TB/s，引腳速率超過9.2Gb/s，比現有HBM3解決方案性能可提升最高50%。這意味著美光成為業界第一個制造出第二代HBM3內存的廠商。

美光介紹，第二代HBM3產品與前一代產品相比，每瓦性能提高2.5倍，可幫助縮短大型語言模型(如GPT-4及更高版本)的訓練時間，降低總體擁有成本(TCO)。

(資料圖)

HBM技術通過在存儲芯片上層疊多個DRAM芯片，提供了更高的帶寬和更低的能耗。隨著數據中心、人工智能和圖形處理等領域的需求增加，HBM技術被廣泛采用。存儲芯片HBM的容量和速度不斷提升，新一代HBM技術的研發也在進行中。HBM技術的發展將為高性能計算和大數據處理提供更強大的存儲解決方案，推動數據處理能力的進一步提升。

——全球存儲芯片行業競爭層次

存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數據的記憶設備，是現代數字系統的重要組成部分。存儲芯片具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域。

目前，全球存儲芯片市場高度集中，代表企業包括韓國的三星、SK海力士;美國的美光、西部數據;日本的鎧俠等，我國企業中長江存儲、長鑫存儲分別在NAND Flash、DRAM市場中不斷發力，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距;在NOR Flash全球市場中，我國企業兆易創新占據前三，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體存儲產業發展的重要角色。

——全球存儲芯片行業市場份額

從存儲芯片細分產品來看，DRAM和NAND Flash占據了存儲芯片95%左右的市場份額，DRAM、NAND Flash和NOR Flash為存儲芯片三大主流產品。2020年，全球DRAM市場中三星、SK海力士、美光市場份額分別達到42.71%、29.27%、22.52%;NAND Flash經過幾十年的發展，已經形成了由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩定市場格局;全球NOR Flash市場中華邦、旺宏、兆易創新排名前三，市占率分別為25.4%、22.5%、15.6%。

美光副總裁暨計算與網絡事業部計算產品事業群總經理 Praveen Vaidyanathan 表示，美光第二代 HBM3 解決方案旨在為客戶及業界提供卓越的人工智能和高性能計算解決方案。我們的一個重要考量標準是，該產品在客戶平臺上是否易于集成。美光HBM3具有完全可編程的內存內建自測試(MBIST)功能，可在完整規格的引腳速度下運行，使美光能為客戶提供更強大的測試能力，實現高效協作，助力客戶縮短產品上市時間。

天風國際證券表示，存儲芯片片巨頭正在將更多產能轉移至生產HBM，但由于調整產能需要時間，很難迅速增加HBM產量，所以這或許也是中國彎道超車的好時機。

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