芯片產能告急時刻 國產半導體企業站了出來

芯片產能告急時刻，越來越多國產半導體企業站了出來。

6月23日，賽晶科技(全稱“賽晶科技集團有限公司”，0580.HK)首條IGBT生產線正式竣工投產，IGBT生產線進入試生產階段。

該生產線的正式投產對于緩解眼下“芯荒”而言具有一定作用。賽晶集團的創始人，現任董事會主席項頡向記者表示，“一旦公司產品批量供貨，項目產能釋放，就會迅速幫助市場與企業解決缺貨問題，緩解供需失衡的現狀”。

目前中國大陸處于功率半導體器件供應鏈的相對末端，產品以二極管、晶閘管、低壓 MOSFET等低功率半導體器件為主，中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%。

MOSFET 和 IGBT等功率器件正逐漸成為主流，其中，IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，被視為電力領域的“CPU”，對新能源汽車、軌道交通、智能電網、節能環保等眾多國家戰略性新興產業的發展，具有重要意義。國家“十四五”規劃，將IGBT列為了亟待攻關的科技前沿領域之一。

《華夏時報》記者了解到，該公司于2019年3月正式啟動了自主技術IGBT項目。隨后，2019年7月賽晶IGBT項目正式簽約落戶嘉善，2020年6月賽晶IGBT生產基地動工建設，同年9月賽晶首款IGBT芯片和模塊產品正式推出。

據悉，公司IGBT項目規劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線、5條IGBT模塊封裝測試生產線，建成后年產能達200萬件IGBT模塊產品。該公司IGBT產品應用將涵蓋600V至1700V的中低壓領域，面向電動汽車、光伏風電、工業變頻等市場。

記者發現，“電動車三賢士之一”和“亞洲電動車之父”，中國工程院院士陳清泉也出席當天生產線投產儀式并致辭。陳清泉院士對賽晶科技在內的科技創新企業提出前瞻性、獨特性、高端性等三方面期許，建議企業應該要更加注重人才和核心技術的培育創新，重視政府政策的驅動，在經營方面，應該要更加了解市場，懂得市場，并善于利用金融的力量謀發展。

項頡說，賽晶科技擁有近20年的功率半導體行業積淀。“賽晶科技將會加快IGBT系列產品的研發、推進后續生產線的建設，力爭盡早讓賽晶品牌IGBT出現在千千萬萬的電動汽車、風力發電、光伏發電、工業變頻設備中。”

據本報記者了解，項頡曾在ABB半導體公司工作，目前賽晶科技的核心研發團隊也都均有非常資深半導體研究經驗。作為世界范圍內電力電子技術創新研發的領先企業，賽晶科技正力爭實現“功率半導體及配套器件”和“新興電力技術”兩大產業集群的快速發展。

賽晶科技于2010年在港交所上市，最新市值為54.14億港元。截至6月23日，賽晶科技在港股表現異常突出，收盤價3.31港元/股，與一個月前相比，漲幅約達50%。

賽晶科技表示，IGBT生產線的投產有助于提高公司的市場競爭力，對未來的經營業績帶來積極影響。由于生產線從投產到達產尚需一定時間，預期產能的釋放需要過程，同時，短期內還有固定成本增加的壓力。敬請投資者注意投資風險。

除IGBT等功率器件備受市場關注之外，第三代半導體作為后摩爾時代實現芯片性能突破的核心技術之一，也受到資本熱捧。

第三代半導體核心環節是材料方面的創新，主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等半導體材料，應用領域包括電動汽車、光伏等功率、5G 射頻、手機快充等。根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，到 2020 年底，全球 SiC 和 GaN 功率半導體的銷售收入到 2029 年將超過 50 億美元。

業界人士告訴記者，整體而言，我國第三代半導體發展較快，已經進入廣泛產業化和收益階段，逐漸具備與國際巨頭齊頭并進和換道超車的基礎條件。據悉，當下，第三代半導體是國家重要的戰略性新興產業，也是我國省、市重點支持的先導性產業。

《華夏時報》記者獲悉，6月23日當天，湖南三安半導體產業園項目一期也宣布正式在長沙投產。依據三安光電說法，這是國內首條全球第三條碳化硅全產業鏈生產線，項目總投資160億元，可月產3萬片6英寸碳化硅晶圓。在業界看來，這是國內LED芯片龍頭三安光電(600703.SH)向第三代半導體領域擴張的重要一步。

湖南三安半導體基地全部建成達產后，預計將實現年銷售額120億元，年貢獻稅收17億元，將促進我國第三代半導體行業加快發展。記者 林堅 陳鋒 浙江報道

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