新技術(shù)！華為公布芯片堆疊專利【附芯片技術(shù)分析】

8月9日，據(jù)最新消息，華為新增多條專利信息，其中一條發(fā)明專利名稱為芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法。

(資料圖片)

據(jù)悉，該專利涉及的技術(shù)領(lǐng)域?yàn)樾酒夹g(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備，該技術(shù)將被用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝。

據(jù)專利摘要，本申請實(shí)施例提供一種芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備，用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域。該芯片堆疊結(jié)構(gòu)包括：至少兩個(gè)堆疊設(shè)置的芯片，每個(gè)芯片包括布線層，布線層中設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；其中，至少兩個(gè)堆疊設(shè)置的芯片包括：堆疊設(shè)置的第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片之間通過鍵合層電連接；鍵合層包括第一區(qū)域、環(huán)繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，以及除第一區(qū)域和第二區(qū)域以外的第三區(qū)域，鍵合層的第一區(qū)域在第一芯片中的布線層上的投影與第一芯片的布線層中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少部分重合；鍵合層的第一區(qū)域和第三區(qū)域中設(shè)置有金屬鍵合層。

我國芯片制造設(shè)備研發(fā)任重而道遠(yuǎn)

——多重因素阻礙我國芯片制造設(shè)備的發(fā)展

在我國意識(shí)到芯片制造設(shè)備的重要性后一直的積極尋求突破，但因美國牽頭制定的《瓦森納協(xié)定》對我國進(jìn)行技術(shù)封鎖，導(dǎo)致我國在進(jìn)行芯片設(shè)備制造時(shí)，難以突破技術(shù)壁壘。

芯片設(shè)備制造研發(fā)的資金投入較大，光刻機(jī)老大在過去20年投入了1500億元人民幣，而我國本土企業(yè)中微半導(dǎo)體在過去16年也投入了20億人民幣，巨大的資金投入使得許多光刻機(jī)研發(fā)企業(yè)望而卻步。

人才缺乏也是我國芯片制造設(shè)備難以突破的原因之一，相較于發(fā)達(dá)國家，我國芯片行業(yè)起步較晚，對人才的儲(chǔ)備不足導(dǎo)致我國芯片制造設(shè)備研發(fā)較為困難。

在了解到我國芯片制造行業(yè)的制約因素后，我國應(yīng)在芯片制造設(shè)備方面加大資金投入和加速人才培養(yǎng)，以補(bǔ)齊我國在芯片制造領(lǐng)域的短板。

未來我國芯片將呈現(xiàn)國產(chǎn)化趨勢

隨著我國對芯片行業(yè)的重視，芯片制造行業(yè)將會(huì)不斷的對芯片制造技術(shù)進(jìn)行突破，我國芯片國產(chǎn)化趨勢將會(huì)越來越明顯。同時(shí)，頭部芯片企業(yè)或?qū)?huì)通過兼并海外先進(jìn)企業(yè)的方式對企業(yè)進(jìn)行整合和技術(shù)引入。綜合來看，只要我國對芯片行業(yè)不斷進(jìn)行資金和人才的投入，未來芯片量產(chǎn)或?qū)⒊蔀榭赡堋?/p>

“如果能讓更多的年輕生力軍進(jìn)入芯片領(lǐng)域，并由他們在未來帶動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，這將是我們最大的競爭優(yōu)勢。”芯片研究專家、科普作家汪波博士表示，“曾經(jīng)是一個(gè)個(gè)具體的人推動(dòng)了歷史的發(fā)展，未來同樣要依靠一個(gè)個(gè)具體的人來面對未來的挑戰(zhàn)，我們必須為這些具體的人創(chuàng)造更好的教育和工作條件，他們的素質(zhì)和能力決定了我們能走多遠(yuǎn)，能有哪些突破。”

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