“一蹴”不等于“而就” 大成就是小進(jìn)展一點(diǎn)點(diǎn)攢出來的

香港《南華早報(bào)》網(wǎng)站5月27日發(fā)布消息《中國(guó)科學(xué)家開發(fā)了DNA鏈一樣寬的晶體管》，廣為轉(zhuǎn)載。中科院微電子所公布：他們?cè)?ldquo;新型NC-FinFET器件的研制方面取得新進(jìn)展”。

可惜傳著傳著，消息變了味兒——《中國(guó)破解芯片困局迎來曙光,打破美國(guó)封鎖已箭在弦上》《剛剛，中國(guó)研發(fā)出世界最先進(jìn)晶體管!為國(guó)產(chǎn)芯片注入一劑強(qiáng)心針!》……不得不說：溢美之詞反映吃瓜群眾的美好愿望，卻令科學(xué)家尷尬。

研究新型FinFET器件，是為降低能耗，不然芯片就太燙了。現(xiàn)在的主流芯片，都是FinFET結(jié)構(gòu)。Fin是魚鰭的意思。以前，電路板是一個(gè)平面，芯片越縮越小，電路越來越密，就會(huì)短路。后來，有人想出在第三維上做“鰭”結(jié)構(gòu)，使二維電路變細(xì)的同時(shí)，電子不亂跑。

中科院此次的成就，是用新的工藝和設(shè)計(jì)，造出性能更優(yōu)秀的FinFET器件。關(guān)鍵詞是“負(fù)電容”，即通過一些結(jié)構(gòu)，在降低電壓的同時(shí)增加電荷。兩年前，國(guó)際上開始用氧化鉿鋯等材料來實(shí)現(xiàn)負(fù)電容。

中科院此次借助3納米的高質(zhì)量的氧化鉿鋯薄膜，實(shí)現(xiàn)了大有潛力的負(fù)電容FinFET器件，意義或許如《南華早報(bào)》所說，是“與芯片開發(fā)前沿的頂級(jí)角色正面競(jìng)爭(zhēng)”。

但扯到“打破美國(guó)封鎖”，就太沒邊了。芯片趕超之路猶如中山陵的臺(tái)階，一步哪能蹦上去。即使成果轉(zhuǎn)化，芯片試制成功，還有量產(chǎn)和商業(yè)化的關(guān)要過。芯片產(chǎn)業(yè)分工極細(xì)，將某個(gè)環(huán)節(jié)的進(jìn)步說成一舉奪魁，未免幼稚。

人人愛看爆炸新聞。科學(xué)論文說乳腺癌找到一個(gè)可能的作用靶點(diǎn)，被記者寫成《乳腺癌可能有新療法》，再轉(zhuǎn)載為《不用切胸了，乳腺癌將被治愈》，最后傳成了《人類終于征服癌癥，X國(guó)科學(xué)家居功至偉》。隨著中國(guó)人關(guān)注“缺芯”，這類瞎傳有了新版本。

科學(xué)成就極少驚人，大成就是小進(jìn)展一點(diǎn)點(diǎn)攢出來的。喜歡傳播可疑的好消息，反映我們的兩種心態(tài)：一是不求甚解，人云亦云;二是好大喜功，或曰浮躁。浮躁者高唱贊歌，卻打擾別人安靜干活。

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